通过调控激光与物质互相作用产生精确可控的超短脉冲快电子束,并将其使用在实现超高时空分辨高能电子衍射成像和激光核聚变的快点火研究的贡献得到“物质科学奖”;施敏因其在对金属与半导体间载流子互传的理论认知做出的贡献,促成了过去50年中按“摩尔定律”速率建造的各代集成电路中如何构成欧姆和肖特基接触的关键技术取得的成就荣膺“数学与电脑科学奖”据了解,未来科学大奖当前设置“生命科学奖”、“物质科学奖”和“数学与电脑科学奖”三大奖项,每个奖项奖金约650万人民币(等额100万)奖金。 镁光系列:AR0130CSSC00SPCA0,AR0330CM1C12SHKAO,AR0141CS2C00SUEA0-DR,AR0521SR2C09SURA0-DR,AR0832 AR0542 AR0237CSSC12SPRA0-DR,AR0230CSSC00SUEA0-DRBR,AR0331SRSC00SUCA0,AR0238CSSC12SPRA0-DR,
索尼系列:IMX327LQR IMX577-AACK-C IMX477-AACK-C IMX458-AALH5-C IMX209BQK IMX183CQK-C IMX278PLCC IMX265 IMX258带寄存器 IMX179-带推动 IMX377CQT-C IMX334LQR-C IMX335 IMX385LQR-C IMX258-G10 IMX219PQH5-C IMX238LQJ-C IMX136LQJ-C IMX122 IMX138 IMX134 IMX179-40PIN IMX317CQC-C IMX326LQC-C IMX323LQN-C IMX307LQR-C IMX291LQR-C IMX307LQD-C IMX290LQR-C IMX307LQR-C IMX326LQC-C IMX224LQR-C IMX214 IMX327LQR1-C IMX225LQR-C IMX335LQN-C IMX226CQJ-C IMX322LQJ-C IMX274 IMX185LQJ-C IMX317CQC-C IMX175 IMX135 IMX214-G10-PLCC IMX219PQH5-C IMX222LQJ-C IMX124LQT-C IMX208PQH5-C 联咏系列:NT96220;NT96223FG/D;NT96223FG/D;NT96223FG/D;NT96620;NT96632BG/C; NT96658BG/ANT96650BG/A;NT96655;NT96658;NT96658MBG;NT96660;NT96663;NT99042;NT99045;NT99140CG/A NT99141CG/A;NT99141CG/A;NT99142CG/A;NT99142CG/A;NT99230;NT99231 NT96683 NT96675 NT96675 NT96663 NT96683 NT5CC128M16IP-DI NT96650BG/A NT99231 NT99042 NT99045 NT96620
安霸系列:A7LA30;A7LA55-A0-RH;A7LA50-B1-RH;A7LS75;A7LA70;A7LA70;A7LA30-B1-RH;A12S75;A7LA55;A12A25;A12A35;A12A55。
格科系列:GC1024;GC1034;GC2023;GC1066;GC2053 GC2145;GC5005 GC1064 GC2385 GC0301A GC2365 GC2385 GC0328 GC6133 GC2033-C54Y0 GC0308 GC2145 GC2755 GC5005 GC5004 GC2235
海思系列:海思HI3535 HI3535RBCV100 600 海思hi3518E HI3518ERBCV200 2400 海思Hi3520 Hi3520RBCV100 海思HI3531A HI3531ARBCV100 海思Hi3531 HI3531RFCV100 海思Hi3520A Hi3520ARFCV100 海思HI3520D HI3520DRQCV300 海思Hi3520D Hi3520DRQCV200
海思Hi3521 Hi3521RFCV100 海思HI3520D Hi3520DRQCV300 海思Hi3520D Hi3520DRQCV100
海思Hi3521A HI3521ARBCV100 海思Hi3520A Hi3520ARFCV100 海思Hi3520 Hi3520RBCV100
海思Hi3520D Hi3520DRQCV100 海思Hi3520 Hi3520RBCV100 海思Hi3520 Hi3520RBCV100 海思Hi3520D Hi3520DRQCV200 海思Hi3520 Hi3520RBCV100 海思hi3518E HI3518ERBCV200 海思HI3520D Hi3520DRQCV300 海思Hi3518E Hi3518ERBCV100 海思Hi3518C Hi3518CRBCV100
海思HI3520D HI3520DRQCV300 海思Hi3518C Hi3518CRQCV100 海思Hi3518A Hi3518ARBCV100
海思Hi3521 Hi3521RFCV100 海思HI3516D Hi3516DRBCV100 海思HI3516D Hi3516DRBCV100 海思Hi3521A HI3521ARBCV100 海思Hi3516C Hi3516CRBCV100 海思HI3516A Hi3516ARBCV100
海思Hi3531 HI3531RFCV100 海思Hi3516 Hi3516RFCV100 海思Hi3515C Hi3515CRQCV100
海思HI3531A HI3531ARBCV100 海思Hi3515A Hi3515ARQCV100 海思Hi3515 Hi3515RBCV100
海思Hi3532 Hi3532RFCV100 海思Hi3515 Hi3515RBCV100 海思Hi3512 Hi3512RBCV100
海思Hi3536 HI3536RBCV100 海思Hi3511 Hi3511RBCV110 海思Hi3510 Hi3510RBCV100
海思Hi3507 Hi3507RBCV100
因为氧化膜有单向导电性质,因而电解电容器具有极性。制造工艺简单,价格便宜,能得到较大的电容量通常在低频电路内,一般无法在大于3~4MHz的频率上运用。油浸电容器的耐压比普通纸质电容器高,稳定性也好,适合于高压电路
7、微调电容器电容量能在某一小范围内调整,亦能在调整后固定于某个电容值。BMI058 松下系列: MN34229PLJ MN34120PAJ MN34112PAJ MN34227 MN34110 MN34041 MN34230 MN34210
思特威:SC2235 SC1145 SC1245 SC1143 SC1135 SC1045 SC2135 SC2035 SC2305 SC1035 SC2232 SC2363 SC4236 SC2238 SC1233 SC2143 SC1233 SC1245 SC1235
晶相:JX-F23-C1-D3 JX-H62-C1-M3 JX-H62-C1-D3 JX-F22-P1-D3 JX-F22-MIPI JX-H61-C1 JX-H42-C1 JX-H65-C1-D3 JX-V01 JX-H65-C1-M6 OV/OS系列:OS08A20 OS05A20 OS08A10-H92A OS02B10 OS05A10-H73A OS04B10
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